国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号 CN 118824953 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括第一区域和第二区域；在第一区域和第二区域之间形成浅沟槽隔离结构；在衬底上形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第一图案化光阻层，并暴露第一区域及两侧的部分浅沟槽隔离结构；对第一区域进行两次倾斜离子注入，形成第一沟道掺杂区；重新形成开口长边方向平行于半导体器件沟道宽度方向第二图案化光阻层，并暴露第二区域及部分浅沟槽隔离结构；对第二区域进行两次倾斜离子注入，形成第二沟道掺杂区；在沟道掺杂区上形成栅极；在栅极两侧形成轻掺杂区。通过本发明提供的半导体器件的制作方法，能够提高半导体器件的性能。
