国家知识产权局信息显示，无锡博通微电子技术有限公司申请一项名为“半桥GaN增强型开关器件及其制备方法”的专利，公开号CN 118825014 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种半桥GaN增强型开关器件及其制备方法。该半桥GaN增强型开关器件包括半桥连接的两个开关元件；两个开关元件水平设置在同一衬底上，其中一开关元件的漏极与栅极分别单独电性引出，源极与另一开关元件的漏极连接并共同电性引出，另一开关元件的栅极和源极分别单独电性引出。该半桥GaN增强型开关器件导电机制为二维电子气，由栅极控制二维电子气的导通和关断，所以器件的栅电荷非常小，能保证器件的高速开关，器件整体呈现半桥连接特性，保证应用灵活性的同时，由于器件制备在同一衬底上，具备高集成度的特点，可以提高系统功率密度。
