苏州敏芯微电子申请力传感器的封装结构及其制造方法专利,解决现有力传感器力传递灵敏度低的问题

日期:2024-10-28 阅读:217
核心提示:国家知识产权局信息显示,苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为力传感器的封装结构及其制造方法的专利,公开号 CN 118817

国家知识产权局信息显示,苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请一项名为“力传感器的封装结构及其制造方法”的专利,公开号 CN 118817125 A,申请日期为2024年9月。

专利摘要显示,本申请公开了一种力传感器的封装结构及其制造方法,涉及力传感器技术领域,用于解决现有力传感器的力传递灵敏度低的问题。本申请提供的力传感器的封装结构包括衬底,其第一表面设有间隔排布的第一凹槽和第二凹槽,第二凹槽的槽底设有凸台;器件结构支撑于第一表面并包括可动质量块和用于固定可动质量块的锚点,可动质量块的一部分悬空于第一凹槽的开口端,另一部分固定支撑于第一表面,可动质量块构成第一极板,锚点固设于凸台上;ASIC芯片与所述器件结构背对所述衬底的一侧相键合,且其朝向器件结构的侧表面设有第二极板第二极板与第极板相对且间隔设置以构成可变电容;其中,第一凹槽的槽底和/或第二凹槽的槽底设有第三凹槽。

 

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