如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更高的功率水平过渡。为满足这一需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出CoolSiC™肖特基二极管2000V G5，这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500 VDC的应用，额定电流为10A至80A，是光伏、电动汽车充电等高直流母线电压应用的完美选择。
该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，间隙距离为5.4mm，再加上高达80A的额定电流，显著提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水平，而元件数量仅为1200V SiC解决方案的一半，简化了整体设计，实现了从多电平拓扑结构到两电平拓扑结构的平稳过渡。
此外，CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术，大大降低热阻和阻抗，更好地实现了热管理。此外，HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流，且具有正向低电压的特点，确保系统性能更优。
2000V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000V完美适配。CoolSiC™二极管2000V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展，该封装将于2024年12月推出。此外，英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000V匹配的栅极驱动器产品组合。
供货情况
采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000V G5系列及其评估板现已上市。
（来源：英飞凌工业半导体 ）
