10月14日，据“成都发布”官微消息，莱普科技的全国总部暨集成电路装备研发制造基地项目目前正处于内外装施工阶段，预计今年年底前完工，明年实现设备搬入、投产。
据介绍，该项目位于成都市高新区，总投资16.6亿元，占地面积39亩，建筑面积6.5万平米，于2023年10月开工建设，预计2025年5月前通过并联并行竣工验收，2026年5月全面达产。公开资料显示，莱普科技成立于2003年，是国内集半导体激光装备研发、制造、销售和服务为一体的厂商。在功率半导体领域，莱普科技的硅基IGBT激光退火设备及碳化硅欧姆接触激光退火设备与进口厂家同厂比对并胜出，销售至株洲中车时代半导体、无锡华润上华、上海积塔半导体等企业。
