近日，由浪潮华光参与制定的国家标准《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》经由国家市场监督管理总局（国家标准化管理委员会）正式发布，为III族氮化物半导体材料在微电子器件、光电子器件领域应用位错成像的测试提供了标准支撑。
《III族氮化物半导体材料中位错成像的测试透射电子显微镜法》描述了用透射电子显微镜来进行III族氮化物半导体材料中位错成像的测试方法，适用于III族氮化物半导体的薄膜或体单晶中位错的成像测试。III族氮化物半导体材料主要包括GaN、AIN、InN以及上述三种材料的组合体系，如InGaN，AlGaN，AlInGaN等，是目前全球半导体研究的前沿和热点。
下一步，浪潮华光将继续秉持“科技立企”的发展理念，发挥产业优势，持续完善企业科技创新体制，加快高精尖人才队伍建设，深化产业链上下游协同合作，加快培育新质生产力，聚力推进光电产业高质量发展。
（来源：浪潮华光）
