科友半导体致力于推动大尺寸SiC单晶衬底的国产化、产业化，从晶体装备研制、热场设计优化、工艺技术开发三个方面入手，形成科友半导体独家SiC长晶一站式解决方案，解决国内SiC衬底产业化设备、热场与工艺卡脖子关键问题。2024年9月份，科友半导体成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备，通过优化电阻炉温场、引入缓冲层优化长晶工艺、优化原料区域温度分布，充分发挥电阻加热式PVT法碳化硅单晶稳定生长的优势。检测表明，8英寸碳化硅衬底产品总腐蚀坑密度控制在2000个cm-2左右，TSD与BPD位错缺陷密度得到有效降低，占同期产出衬底的比例在八成以上，彰显出电阻加热式长晶炉对推动设备和耗材国产替代、推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力，标志着科友半导体8英寸碳化硅衬底产业化进入了新的阶段。
位错缺陷密度随晶体厚度提高不断下降
科友近期制备的低缺陷密度8英寸碳化硅衬底
（来源：科友半导体）
