作为光电子领域的核心组成部分，半导体光电装备、材料及工艺决定了光电器件的性能、成本和应用范围，当前正处于快速发展之中。新技术的不断涌现推动了光电器件的性能提升和应用扩展。未来的发展将集中在提高制造精度、降低成本、拓展应用范围以及实现更高性能的新型光电材料和器件上。新兴技术，如二维材料、量子点、钙钛矿、Micro-LED等将不断推动光电显示、光通信、传感器和计算等领域的创新和应用。
9月27日，“2024南昌国际半导体光电技术与显示应用博览会暨首届南昌半导体光电产业高质量发展论坛”（简称“南昌光电博览会”）于江西南昌绿地国际博览中心举行。本届博览会以“光耀世界·引领未来”为主题，在南昌市人民政府、江西省工信厅指导下，由中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，南昌高新技术产业开发区管委会、江西省半导体照明产业协会等单位承办。
本届博览会以“展览+论坛”的模式，聚合国内顶级行业嘉宾，洞悉全球半导体光电产业发展态势，解读产业政策走向，研判产业发展趋势，致力于打造综合性行业盛会，推动建设江西以南昌为中心，覆盖全国、面向全球的半导体光电产业应用基地与开放创新平台。
南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌
厦门大学教授康俊勇
除开幕大会，论坛设有4场主题分论坛，4场技术与标准研讨会，将围绕“半导体光电装备、材料、器件及工艺”、“车用光电子技术及应用”、“智慧健康照明技术及应用”、“光电显示技术与应用”等主题展开探讨。期间，“半导体光电装备、材料、器件及工艺”主题分论坛上，来自南方科技大学、中微公司、苏州长光华芯半导体激光创新研究院、德瑞光电、格恩半导体、远方光电、HORIBA、新微半导体等高校、科研院所、知名企业的嘉宾们带来精彩报告，分享设备工艺等最新研究进展与趋势。南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，厦门大学教授康俊勇共同主持了分会。
南方科技大学纳米科学与应用研究院教授张保平
《GaN基VCSEL研究》
GaAs VCSEL已经得到广泛应用，在激光器小型化，可见光通信、光纤通信、微型激光投影、激光照明等领域具有广泛的应用前景。南方科技大学纳米科学与应用研究院教授张保平带来了”GaN基VCSEL研究“的主题报告，分享了相关研究进展以及研究成果。涉及VCSEL工艺过程、紫外VCSEL、蓝光VCSEL、绿光VCSEL、MOCVD制备InGaN量子点。其中，报告指出，其研究得到目前为止波长最短的VCSEL，也是世界上第一个在UVC波段（200~280nm）激射的VCSEL。未来，将关注用于<400nm的电驱动VCSEL，大于565nm的VCSEL激光，400-565nm的高功率、低电流VCSEL等。
中微公司集团副总裁 、MOCVD产品部总经理郭世平
《MOCVD外延装备的发展：从LED照明到LED显示》
GaN LED已广泛应用于照明和显示应用，Mini LED和Micro LED有望渗透到更多的显示应用中。中微公司集团副总裁 、MOCVD产品部总经理郭世平带来了”MOCVD外延装备的发展：从LED照明到LED显示“的主题报告，分享了GaN基LED应用，AMEC MOCVD设备发展现状，以及下一代MOCvD设备的技术趋势。报告指出，AMEC MOCVD已被大多数LED制造商用于LED照明和显示应用。自动化、互联和AI-供电将是MOCVD设备技术发展的未来趋势。
苏州长光华芯半导体激光创新研究院执行院长李顺峰
《高功率半导体激光器研究进展》
苏州长光华芯半导体激光创新研究院执行院长李顺峰带来了”高功率半导体激光器研究进展“的主题报告，分享了相关研究进展，涉及高功率边发射激光器、面发射激光器等。报告指出，高功率半导体激光器向着更高功率、更高亮度、更高效率、更多波长，新应用和更低成本的趋势发展。
江西德瑞光电技术有限责任公司总经理柯毛龙
《红光VCSEL芯片进展及应用》
与EEL激光器相比，VCSEL具有体积小、阈值电流低、功耗低，调制带宽高 （100G），圆形光束、易与光纤耦合等优势，VCSEL 在大规模取代 EEL。江西德瑞光电技术有限责任公司总经理柯毛龙带来了”红光VCSEL芯片进展及应用“的主题报告，介绍了红光VCSEL芯片研发和性能、红光点光源、其他VCSEL产品及应用等内容。
安徽格恩半导体有限公司副总经理邓和清
《高功率氮化镓半导体激光器研发进展》
安徽格恩半导体有限公司副总经理邓和清带来了”高功率氮化镓半导体激光器研发进展“的主题报告，分享了最新研究进展与成果。报告指出，其研究在外延、芯片制造和封装技术方面取得了重大进展。开发了一种5W高效蓝色激光器，WPE为45%，寿命超过20000小时。实现了脉冲输出功率超过15W的高功率蓝色激光器，实现了38%的WPE。
杭州远方光电信息股份有限公司研究员唐宪
《Micro-LED关键性能及光电检测技术》
杭州远方光电信息股份有限公司研究员唐宪带来了“Micro-LED关键性能及光电检测技术”的主题报告，报告分享了外量子效率测量、亮度色度及缺陷测量、显示器件综合特性测量的研究进展、挑战与相关解决方案。报告指出，随着LED尺寸的缩小，特别是Micro-LED尺寸达到3 um，小电流密度下的外量子效率急剧降低，这主要是由于制造过程中等离子体刻蚀产生的侧壁损伤引入了非辐射复合中心和漏电流。标准LED制造中，整个晶圆上的波长变化在6-12nm，而Micro-LED的波长均匀性要做到2nm以内。需要高精度光谱仪、高稳定纳安源。亮度色度及缺陷测量方面，高分辨率AOI系统、高分辨成像彩色亮度计非常重要。
HORIBA （中国） 半导体BD经理张锐
《面向光电半导体与显示行业的光谱解决方案》
HORIBA （中国） 半导体BD经理张锐带来了”面向光电半导体与显示行业的光谱解决方案“的主题报告，分享了相关解决方案，包括椭偏仪，稳瞬态荧光光谱仪、激光共聚焦显微拉曼光谱仪、辉光放电光谱仪等。
上海新微半导体有限公司王国华
《追光逐电新力量 赋能制造“芯”时代”》
光电芯片具有广泛的应用场景，车载领域激光雷达加速带动光芯片需求。全球移动通信、数据中心等领域通信系统向更快传输速率升级，更高速率激光芯片需求快速释放。低速光芯片的国产化进程已基本完成，高速光芯片的国产化份额还有待提升。在国内光芯片市场中，2.5G和10G光芯片的国产化程度已经相当高。上海新微半导体有限公司王国华带来了“追光逐电新力量 赋能制造“芯”时代”的主题报告，分享了光电半导体发展现状、光电技术类型、光电工艺平台进展。涉及边发射激光器性能模拟与设计支持、EML激光器模拟与设计支持、探测器芯片模拟与设计支持、激光器端面镀膜模拟等。报告指出，光电芯片技术向着高速度、大功率、宽温度、低功耗、多功能方向发展。
除了主题论坛，本届博览会同期还有展览展示、CSA二十周年纪念活动，CSAS技术与标准研讨会、CSAS Micro-LED标准专题研讨会、CSAS 健康照明标准专题研讨会、CSAS 紫外LED标准专题研讨会等联动活动，共同探讨促进产业链各环节的协同发展。
博览会展览展示面积10000平方米，百余家知名厂商参与展示。展品范围包括户外照明、灯具及灯饰、LED设备及测试设备、显示应用、智慧照明、LED封装、照明电器产品专用材料、电光源产品、照明电器配套等，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，全面赋能产业全链路打造高质量发展新引擎，打造半导体光电领域的标杆性展会。
展会现场花絮
展会现场花絮
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宁波电子参展团
