5.2亿元 天科合达将投建半导体设备产业化基地项目

日期:2024-09-19 阅读:208
核心提示:9月10日,据沈阳高新区官微消息,天科合达近日摘得北方芯谷新建区第一块工业用地,将投资5.2亿元建设半导体设备产业化基地项目。

9月10日,据“沈阳高新区”官微消息,天科合达近日摘得北方芯谷新建区第一块工业用地,将投资5.2亿元建设半导体设备产业化基地项目。据悉,辽宁省集成电路装备及零部件产业园即北方芯谷,位于沈阳市浑南区,总占地面积5.1平方公里,包括建成区五三片区和新建区张沙布片区,规划建设集整机装备、零部件、系统集成等于一体的产业集聚区。

而天科合达本次摘牌的地块位于北方芯谷新建区,计划建设碳化硅单晶生长炉、高温CVD真空炉等装备研发制造生产基地和半导体设备高温零部件碳化物涂层等终端产品生产基地。项目预计明年初开工建设,年底前投入使用。

作为全球碳化硅衬底主要生产商之一,天科合达目前正在持续加码碳化硅衬底产能。今年2月,天科合达控股子公司深圳市重投天科半导体有限公司建设运营的碳化硅材料产业园项目在深圳市宝安区正式揭牌启用,将重点布局6英寸碳化硅单晶衬底和外延生产线。而在今年8月,北京市生态环境局公示了天科合达碳化硅衬底产业化基地建设二期项目(以下简称:二期项目)环评审批。

二期项目用于扩大天科合达碳化硅晶体与晶片产能,同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善,投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底,其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片,8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。随着本次半导体设备产业化基地项目落地,天科合达业务结构中设备产品占比有望进一步提升。

来源:材能时代

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