晶合集成申请一种半导体结构的制作方法及动态调整系统专利,提高半导体结构的良率

日期:2024-09-19 阅读:206
核心提示:天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为一种半导体结构的制作方法及动态调整系统,公开号 CN2024111

天眼查知识产权信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法及动态调整系统“,公开号 CN202411154851.1,申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示,本发明提供一种半导体结构的制作方法及动态调整系统,属于半导体制造技术领域。制作方法包括:提供一衬底,其上依次形成垫氧化层和垫氮化层;在衬底内形成浅沟槽并沉积绝缘介质;平坦化绝缘介质至与垫氮化层齐平;测量绝缘介质的厚度,与目标值进行比对;绝缘介质的厚度大于目标值,调节绝缘介质的起始厚度,至绝缘介质的厚度等于目标值;若绝缘介质的厚度小于目标值,建立绝缘介质的厚度与干法刻蚀起始程序的对应关系;去垫氮化层;在进行多次去胶工序中,对比去胶工序的次数与干法刻蚀起始程序,去胶工序的次数与干法刻蚀起始程序相等时,开始进行干法刻蚀。

 

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