天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法“，公开号 CN202410945473.2，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，一种多导电沟道的平面栅 MOSFET 及制备方法，涉及半导体技术领域。在器件的的 P 体区和 P+沟道区之间形成一个薄的 N+层，关态状态下 G 极电极不加电压，该 N+层在 P 体区和 P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下 G 极电极加正电压，栅氧一侧 P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于 G 极电极加正电压，P 体区和 P+沟道区夹持的 N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电 MOSFET 导通电阻。
