浙江奥首材料科技申请一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液专利，减少剥离液中的腐蚀

天眼查知识产权信息显示，浙江奥首材料科技有限公司申请一项名为“一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液、其制备方法及用途“，公开号 CN202410880916.4，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明涉及一种用于半导体化合物光刻胶的剥离液、其制备方法及用途。所述的光刻胶的剥离液，按照重量份计算，包括如下组分：有机胺 1020 份；润湿剂 1030 份；有机溶剂 5080 份；缓蚀剂 0.21 份。本发明采用了复合缓蚀剂体系，其中的巯基可以较好的吸附在砷化镓表面，形成较好的保护层，同时可以对蚀刻液中游离的砷离子进行螯合，进一步减少腐蚀；同时氮唑类的缓蚀剂可以吸附在镓离子上，在表面形成互补的保护层，进而减少了剥离液中的腐蚀。采用复合极性有机溶剂体系，能够提高各物质的溶解性的同时，提高溶解在剥离液中的光刻胶的分散性。