扬杰科技申请“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法”专利,提高器件的高压 H3TRB 的可靠性

日期:2024-09-12 阅读:227
核心提示:天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法,公开号 CN2

天眼查知识产权信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法“,公开号 CN202410712262.4,申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示,一种提高可靠性能力的碳化硅二极管及其制备方法,涉及半导体技术领域。通过改变无机钝化层的组成结构,设计成了 SiO2、SiN、SiO2 三明治的结构,其中每层 SiO2 的厚度不小于 200nm,SiN 的厚度不小于 600nm,上层为有机钝化层。类似三明治的三层结构使得器件在高压的 H3TRB 可靠性项目中能够更好得到保护,在高压的 H3TRB 项目中,随着项目的进行,三层结构的无机钝化层可以保证器件在实验过程中更好的隔绝水汽,保护碳化硅外延层,从而提高器件的高压 H3TRB 的可靠性。

 

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