9月10日，汉磊科技发布公告，宣布与世界先进集成电路股份有限公司签订策略合作协议，双方将携手合作，推动化合物半导体8英寸SiC晶圆的技术研发与生产制造。相关技术初期由汉磊转移，预计2026下半年开始量产。同时，世界先进并策略投资参与汉磊科技公司私募普通股认购，投资金额24.8亿元新台币（约5.5亿人民币），以共同推动具竞争优势的产品制造服务，建立双方的长期策略合作关系。
汉磊办理私募增资案，由世界先进认购5000万股，投资24.8亿元新台币，取得13%股权。汉磊将于主管机关核准募资登记后，和世界先进展开合作。结合双方的技术优势和市场资源，汉磊及世界先进并将共同进行SiC技术研发、市场推广，为客户创造更大的价值；未来双方亦将评估SiC技术研发及量产进度，进行更进一步的合作。
