天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法“，公开号 CN202410623592.6，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，一种改善双极退化的碳化硅 MOSFET 器件及制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在碳化硅衬底上外延生长形成碳化硅漂移层；S200，在碳化硅漂移层源区形成 N+区；S300，在碳化硅漂移层形成 PW 区；S400，在 PW 区形成 Spacer 层，通过离子注入形成 NP 区；S500，在 PW 区形成 PP 区；S600，在碳化硅漂移层形成 JFET 区；S700，在碳化硅漂移层顶面形成栅氧层；S800，在栅氧层上通过沉积多晶硅形成 Poly 层，作为栅电极引出；S900，在 Poly 层上通过沉积形成与 Poly 层和 NP 区相接触的隔离介质层，隔绝栅极和源级，避免两处短接；本发明降低器件电阻，提高器件通流能力，降低了器件发生双极退化的可能性。
