日本信越化学工业开发出用于制造氮化镓（GaN）半导体的大型基板。
据媒体报道，此次成功实现大型化的是用于制造氮化镓化合物半导体的基板。据悉这种基板可用于6G通信半导体以及数据中心使用的功率半导体等。如果使用氮化镓，就可以在高频段实现稳定通信，以及进行大功率控制，但一直很难生产出高品质的大型基板，这成为普及的障碍。
信越化学拥有以“QST基板”（使用氮化铝等材料的自主基板）为基础，来制备氮化镓结晶的技术。与硅基板相比，可以制作出更薄、品质更高的氮化镓结晶。成功开发出了口径为300毫米的QST基板，面积是此前产品的约2.3倍，与传统半导体常用的硅基板面积相同。
（来源：集微）
