盛合晶微半导体(江阴)申请 3D 垂直互连封装结构及其制备方法专利,实现高密度封装

日期:2024-09-04 阅读:248
核心提示:天眼查知识产权信息显示,盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请一项名为3D 垂直互连封装结构及其制备方法,公开号 CN202410659699

天眼查知识产权信息显示,盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请一项名为“3D 垂直互连封装结构及其制备方法“,公开号 CN202410659699.6,申请日期为 2024 年 5 月。

专利摘要显示,本发明提供一种 3D 垂直互连封装结构及其制备方法,通过层压法将介电层及金属层依次平行叠置并在切割后制备具有间隔且平行设置金属层的 3D 互连结构,并在键合时将 3D 互连结构垂直设置以构成 3D 垂直互连结构,从而可通过控制 3D 互连结构中的介电层的厚度控制 3D 垂直互连结构中金属层间的间距,通过控制 3D 互连结构中的金属层的长度以控制 3D 垂直互连结构中金属层的高度,且通过控制 3D 互连结构中的金属层的厚度以控制 3D 垂直互连结构中金属层的接触点的大小;本发明可实现高密度封装,且制程工艺灵活,适用范围广,可避免金属偏移确保产品质量。

 

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