罗姆第4代SiC MOSFET大量应用于吉利旗下品牌“极氪”3款车型

日期:2024-09-04 阅读:261
核心提示:日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称吉利)的电动汽

日前,搭载了罗姆(总部位于日本京都市)第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于浙江吉利控股集团(以下简称“吉利”)的电动汽车(以下称“EV”)品牌“极氪”的“X”、 “009”、 “001”3种车型的主机逆变器上。自2023财年起,这款功率模块经由罗姆和正海集团的合资公司—上海海姆希科半导体有限公司批量供货给吉利旗下Tier1厂商——宁波威睿电动汽车技术有限公司。 

吉利和罗姆自2018年以来持续开展技术交流,并于2021年缔结了以SiC功率器件为核心的战略伙伴关系,合作至今。这次,作为合作成果,上述3种车型的主机逆变器搭载了罗姆的SiC MOSFET。无论哪种车型,以SiC MOSFET为核心的罗姆电源解决方案都将有助于延长车辆续航距离以及提高性能。 

罗姆正在推进SiC器件的开发,计划于2025年推出第5代SiC MOSFET,同时也提前了第6代及第7代产品的市场投入计划。并且,通过构筑SiC供应体制,实现以裸芯片、分立器件和模块等各种形态供货,从而促进SiC的普及,为实现可持续发展社会做出贡献。 

关于采用了罗姆“EcoSiC™”的极氪车型

极氪的“X”车型虽然是小型SUV,但最大输出功率300kW以上,续航距离400km以上,性价比高,在中国以外的地区也受到关注。另外,小型货车类型的“009”除了智能驾驶舱之外,还搭载了140kWh的大容量电池,最大续航距离达822km。并且,作为旗舰车型的运动旅行车类型的“001”,由于双电动机最大输出达400kW以上,续航距离超580km,拥有4轮独立控制机构等,作为高性能EV被广泛关注。

(来源:罗姆半导体集团)

 

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