天眼查知识产权信息显示，华羿微电子股份有限公司取得一项名为“一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件及制备方法“，授权公告号 CN118248736B，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种宽 SOA 屏蔽栅 MOSFET 器件，通过在器件有源区中间隔错位或者平行排列而形成沟槽宽度和接触孔宽度的不同版图布局，该布局是通过光刻的方式在器件有源区中间隔错位或者平行排列形成沟槽和接触孔不同宽度，使得该区域拥有更窄的沟槽到接触孔距离，从而在接触孔注入后形成该区域与其他区域不同的浓度梯度，实现在器件导通时其他区域优先开启而该区域延迟开启，最终在其他区域优先开启的情况下，该区域可以作为散热场板从而提升器件整体的 SOA。本发明还提供了一种上述器件的制备方法，该器件的制备方法与一般功率器件制造工艺兼容，能够应用于平面型以及沟槽型和屏蔽栅型 MOSFET 甚至超结 MOSFET 和 IGBT 等功率器件当中。
