天眼查知识产权信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司申请一项名为“用于外延设备的处理方法“，公开号 CN202410542371.6，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，本公开涉及用于外延设备的处理方法，外延设备包括反应腔室和传送腔室，反应腔室内设置有基座，传送腔室内设置有传送臂，传送臂用于将待生长外延的晶圆传送至基座，处理方法包括：步骤 S1：在第一温度下向反应腔室通入硅源气体；步骤 S2：在第二温度下使传送臂以未承载晶圆的状态从传送腔室进入反应腔室并从反应腔室返回传送腔室；以及步骤 S3：在第三温度下对反应腔室烘烤预定时间，其中，步骤 S2 循环执行多次。通过上述处理方法，能够以较短的时间完成反应腔室内水分的去除并在去除水分的过程中避免基座的 SiC 层受到水分的侵蚀。
