总投资约300亿,三安意法半导体项目即将投产

日期:2024-08-29 阅读:478
核心提示:总投资约300亿元的三安意法半导体项目已进入收尾阶段,衬底厂预计本月投产,比原计划提前2个月。

 据《重庆新闻联播》近日报道,总投资约300亿元的三安意法半导体项目已进入收尾阶段,衬底厂预计本月投产,比原计划提前2个月。

据悉,重庆三安意法半导体项目由重庆三安半导体和安意法半导体共同开展建设,项目分为芯片厂和衬底厂两部分,包括一家专业从事碳化硅外延、芯片、研发、制造、销售的车规级功率芯片制造企业,以及为其提供碳化硅衬底的材料供应商。

其中,“衬底厂”重庆三安半导体由三安光电全资子公司湖南三安半导体于2023年7月全资成立,注册资本18亿元,项目预计投资70亿元,专业从事碳化硅晶圆生长、衬底制造,规划达产年生产能力为8英寸碳化硅衬底48万片。

“芯片厂”安意法由湖南三安半导体(51%)和意法半导体(中国)投资有限公司(49%)于2023年8月共同出资设立,注册资本6.12亿美元。项目总投资32亿美元(约合人民币228亿元),规划达产年生产能力为8英寸碳化硅车规级MOSFET功率芯片48万片,预计营收将达139亿元。

衬底厂则由三安光电利用自有碳化硅衬底工艺,通过全资子公司湖南三安半导体在重庆设立全资子公司重庆三安半导体配套建设,项目总投资约70亿元规划生产8英寸碳化硅衬底48万片/年。

据“三安光电”披露,目前重庆三安意法项目正处于设备进场安装调试的关键阶段,衬底厂预计8月底将实现点亮通线,安意法预计11月底将整体通线。

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