日前，鸿海研究院半导体所携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓Ga2O3在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
第四代半导体氧化镓Ga2O3因其优异的性能，被视为下一代半导体材料的代表。它拥有超宽能隙 (4.8 eV)、超高临界击穿场强 (8 MV/cm) 等特性，较现有的硅 (Si)、碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等材料具有显著优势，这些特性使得氧化镓特别适用于电动车、电网系统、航空航太等高功率应用场景。
鸿海认为，氧化镓元件将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅元件竞争。目前中国、日本和美国在氧化镓研究领域处于领先地位。其中，日本已实现 4 英寸和 6 英寸氧化镓晶圆的产业化，而中国多家科研机构和企业也在积极推进相关研究与产品开发。
source：鸿海与阳明交大电子所
本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN Diodes Using Ion Implantation Technologies，利用磷离子布植和快速热退火技术实现了第四代半导体 P 型Ga2O3的制造，并在其上重新生长 N 型和 N+ 型Ga2O3，形成了 PN Ga2O3二极体，结果展示出优异的电性表现，这一突破性技术除了能大幅提升元件的稳定性和可靠性，并显著降低电阻。
实验结果显示，该元件具有 4.2 V 的开启电压和 900 V 的击穿电压，展现出元件优异的高压耐受性能。此次的技术突破，将为台湾在全球化合物半导体产业中的领先地位增添优势，也为未来的高压半导体应用开创新的可能，也再次证明了鸿海在技术创新和产业发展上的卓越能力。
展望未来，鸿海研究院表示，随着氧化镓技术的进一步发展，可以期待其在更多高压、高温和高频领域中有更广泛应用，将继续致力于此领域的研究，为全球技术创新和产业进步做出更大的贡献。
