8月28日，飞锃半导体香港子公司（Alpha Power Solutions Hong Kong Limited）获得香港创新科技署创新及科技基金资助，用于开发SiC沟槽MOSFET晶体管制造技术和产品研发，助力打造粤港澳大湾区集成电路产业“芯”高地。
第三代半导体技术作为香港近年来重点发展的科技领域之一。为此，特区政府设立了专注于半导体研发的中心——香港微电子研发院，将专注于支持第三代半导体材料，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），并通过构建大学、研发中心与产业界之间的紧密合作网络，加速技术转化和商业化进程。这将有助于推动香港成为全球第三代半导体技术的研发与应用中心，为香港乃至大湾区的科技创新和经济发展注入新的活力。
飞锃半导体，作为中国碳化硅功率半导体器件领域的领军企业，长期以来专注于碳化硅产品的研发、生产和销售，已成功在新能源汽车、直流充电桩、光伏及储能、智能家居等多个关键领域实现广泛应用，为行业头部企业提供了优化的碳化硅产品解决方案，为碳中和目标的实现贡献了重要力量。
飞锃半导体首席执行官周永昌（Tony Chau）表示：“在创新科技署的支持下，飞锃半导体已经取得了显著成就，成功开发出并量产与国际顶尖IDM供应商性能相当的碳化硅二极管和MOSFET产品，并确立了我们在碳化硅器件领域的领先地位。凭借在碳化硅器件工艺方面的深厚积累，我们勇敢迎接新挑战，全力开发碳化硅 TRENCH MOSFET 以降低单位成本，推动碳化硅 MOSFET 推向更广阔的市场。”
针对平面碳化硅晶体管成本高、微型化难度大等挑战，飞锃半导体将聚焦于开发一种创新性的碳化硅MOSFET制造技术，力求以成本效益的方式提供世界级品质的产品。在平面碳化硅MOSFET技术成功应用的基础上，进一步探索沟槽式碳化硅MOSFET技术，优化传统设计中的JFET电阻，有效降低RSP，为未来几代产品的进一步微型化奠定基础。
此外，飞锃半导体还将深入研究碳化硅沟槽蚀刻、栅极电介质优化及退火工艺等关键技术，确保沟槽侧壁和底部的平滑度，从而解决碳化硅MOSFET器件的可靠性问题。基于飞锃半导体在碳化硅MOSFET领域的丰富经验，将继续探索各种布局和器件结构，以持续提升器件性能，满足市场日益增长的需求。
飞锃半导体将继续致力于提供市场上具有竞争力的碳化硅MOSFET产品，推动整个行业的创新与发展。此次获得香港创新科技署创新及科技基金资助，飞锃半导体将助力粤港澳大湾区第三代半导体芯片产业的发展，推动粤港澳大湾区成为全球半导体行业的领先力量。
