天眼查知识产权信息显示，河北博威集成电路有限公司取得一项名为“集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法“，授权公告号 CN118136672B，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，本申请适用于半导体器件技术领域，提供了一种集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制备方法，该器件包括：自下而上依次堆叠的漏极金属、N+衬底和 N 漂移层和源极金属；N 漂移层的上表面有至少一个凹槽，在凹槽的两侧形成两个凸台；凹槽的下方有 P 阱，P 阱内设有 N+源区和 P+源区；凹槽的底部有欧姆接触金属和栅极；在远离栅极一侧的凹槽的侧壁上和凸台的上表面有第二肖特基接触金属，凸台、欧姆接触金属和第二肖特基接触金属形成双凸台 SBD。本申请能够在减小 SiC MOSFET 器件续流损耗、开关损耗、避免双极退化的同时，增大 SBD 的正向导通电流，减小反向漏电，极大提升单片集成 SBD 的 SiC MOSFET 器件的性能。
