近日，北京市生态环境局公示了天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目（以下简称“二期项目”）环评审批。环评报告书中指出，随着北京天科合达创新能力、市场占有率的不断提升，行业内影响力不断增强，计划扩大生产规模，拟在现有厂区西侧地块建设二期项目。
据悉，二期项目位于北京市大兴区大兴新城东南片区0605-022C地块为现有工程东侧空地；项目总占地面积52790.032m2，总建筑面积105913.29m2，包括生产厂房、化学品库、危废库、一般固废库、综合楼、门卫等。
公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。该项目用于扩大公司碳化硅晶体与晶片产能，同时建设研发中心以对生产工艺和参数持续进行优化和完善，投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中6英寸导电型碳化硅衬底23.6万片，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。
