天眼查显示，无锡利普思半导体有限公司“一种功率模块结构”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471913A。
本发明涉及一种功率模块结构，功率模块包括外壳、基板、底板、芯片和填充材料。外壳为中空结构，包括栅体，栅体两侧连接于外壳内，上端与外壳间隙配合。底板固定设置于外壳下端，基板设置于底板上，芯片电气连接于基板上端，填充材料填充于中空结构内。其中，栅体的位置不与芯片对应，栅体下端伸入填充材料中，将一部分填充材料分隔于栅体两侧，减小栅体两侧区域内填充材料的体积，填充材料固化后，减小了栅体附近区域应力集中的大小，改善了应力分布状态，降低了填充材料内产生裂纹以及裂纹扩散至芯片附近的可能性，提高了功率模块的使用寿命。
