天域半导体碳化硅外延项目即将试产

日期:2024-08-14 阅读:260
核心提示:8月13日,据东莞发布官微消息,广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。资料显示,该项目总投资80亿,位于松山湖生态园

8月13日,据东莞发布官微消息,广东天域半导体总部和生产制造中心项目即将试产。

资料显示,该项目总投资80亿,位于松山湖生态园,总占地面积约114.65亩、建筑面积约24万平方米,建设内容包括厂房、研发楼、宿舍以及配套设施等,建成后用于生产6英寸/8英寸碳化硅(SiC)外延晶片,产能达150万片/年。项目建设周期为2023年至2026年,未来预计年产值约100亿元。 

作为一家SiC外延晶片市场营销、研发和制造厂商,天域半导体是国内最早实现6英寸SiC外延晶片量产,20kV级以上的厚外延生长,缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术,多层连续外延生长技术的企业。2023年2月,天域半导体完成约12亿人民币B轮融资,投资方包括海富产业基金、粤科鑫泰股权投资基金、南昌工业控股、嘉元科技、招商资本、乾创投资等,本轮融资资金将继续用于增加SiC外延产线的扩产以及持续加大SiC大尺寸外延生长研发投入。

目前,天域半导体正在积极布局8英寸SiC外延片产线建设,有望成为国内较早实现8英寸量产的企业之一。

(来源:集邦化合物半导体)

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