天眼查知识产权信息显示，江苏豪纬交通集团有限公司申请一项名为“一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法“，公开号 CN202410630653.1，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种基于微纳阵列结构 GaN 基光电子芯片的制备方法，包括衬底准备、前置工艺、外延工艺与后续工艺，所述前置工艺用于在衬底上沉积绝缘层，通过绝缘层之间形成微米孔洞阵列，所述外延工艺用于在形成的微米孔洞中外延生长形成微纳结构。本发明采用自下而上的选区外延工艺，避免了干法刻蚀工艺，有效提高微纳结构中有源层的发光效率。与此同时，二次外延技术可以进一步提高晶体质量，进而提高芯片的电光转换效率。用前置工艺在外延微纳结构前沉积二氧化硅绝缘层，制备具有微米孔洞阵列的二氧化硅层，充当后续微纳阵列器件之间的绝缘层，该绝缘层厚度均一、填充性好，可以有效避免漏电流通道的产生。
