纳微半导体为全新三星Galaxy智能手机家族注入快充动力

日期:2024-08-06 阅读:259
核心提示:纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其GaNFast氮化镓功率芯片已获三星智能手机系列广泛采用,先后为旗舰机皇Galaxy S2

 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片已获三星智能手机系列广泛采用,先后为旗舰机皇Galaxy S22、S23、S24,畅销机型Galaxy A系列以及革命性的AI折叠屏手机Galaxy Z Fold6和Galaxy Z Flip6注入了氮化镓快充动力。

氮化镓(GaN)的运行速度比传统硅快达20倍,围绕其制成的充电器在体积和重量减半的同时,功率和充电速度提高3倍。GaNFast氮化镓功率芯片带来了高频、高效率的功率转换,与之前的硅基设计相比,充电器体积可减少50%。 

三星全新的25W氮化镓充电器(型号:EP-T2510)搭载了先进的节能技术,将待机损耗降低75%,仅为5mW。这款充电器的环保特性体现了纳微快充技术的节能减碳潜力:纳微每出货一颗GaNFast氮化镓功率芯片,相较传统硅芯片可节省4公斤二氧化碳排放。

 

纳微半导体全球高级销售副总裁David Carroll表示,“自2018年助力全球首款氮化镓充电器成功量产以来,纳微一直是推动氮化镓技术革新并实现对传统硅芯片替代的先锋。纳微与三星的合作始于Galaxy S22 Ultra,而今天我们可以自豪地宣布:纳微GaNFast技术已经从高端旗舰机型扩展到主流走量机型,成为三星智能手机不可或缺的一部分。”

 (来源:纳微芯球

 

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