华羿微电申请高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构专利，降低功率器件制造成本

天眼查知识产权信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构、制作方法及应用“，公开号 CN202410874826.4，申请日期为 2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种高性能 MOSFET 功率器件外延设计结构、制作方法及应用，其外延设计结构包括：以高浓度掺杂成型在衬底上的第一外延层，且该第一外延层阻挡衬底扩散；以负斜率阶梯式掺杂浓度经离子注入成型在所述第一外延层上的第二外延层。其中，高浓度掺杂为砷掺杂，且第一外延层的 Rdson 占比小于 MOSFET 功率器件总 Rdson 的 5%。本发明采用砷成型第一外延层和精准的负斜率阶梯掺杂浓度成型的第二外延层，使得功率 MOSFET 在 BV 增加的同时降低导通电阻，提升 DCDC 能量转换效率，同时降低功率器件的制造成本，且公开的负斜率阶梯式掺杂浓度的第二外延层制作方法与功率器件制造工艺兼容，能够应用于沟槽型和屏蔽栅型 MOSFET 功率器件当中。