标准 | 赛迈科牵头2项SiC单晶生长用等静压石墨标准征求意见

日期:2024-08-02 阅读:243
核心提示:由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定辉光放电质谱法》、T/CAS

 由赛迈科先进材料股份有限公司牵头起草的标准T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定  辉光放电质谱法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》已完成征求意见稿的编制,该项标准征求意见稿按照CASAS标准制定程序,反复斟酌、修改、编制而成,起草组召开了多次正式或非正式的专题研讨会。根据联盟标准化工作管理办法,2024年7月25日起开始征求意见,截止日期2024年8月24日。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位;非联盟成员单位如有需要,可发邮件至:casas@casa-china.cn。

T/CASAS 036—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定  辉光放电质谱法》规定了采用辉光放电质谱法测定等静压石墨构件纯度的方法,包括术语和定义、试验原理、试验环境、仪器设备、试剂与材料、试样、试验步骤、试验结果及试验报告。

本文件适用于单个杂质元素含量范围为0.01mg/kg~5mg/kg的碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度的测定,所述构件包括碳化硅单晶生长炉中的加热器、坩埚、籽晶托等内部构件。碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件,以及碳化硅外延生长用石墨基材的纯度测定可参考本文件。 

T/CASAS 048—202X《碳化硅单晶生长用等静压石墨》描述了碳化硅单晶生长用等静压石墨的技术要求、试验方法、检验规则、标识、包装、运输和贮存等。

本文件适用于纯度要求达到5N5(质量分数99.9995%)以上的碳化硅单晶生长用或碳化硅粉体合成用等静压石墨,包括碳化硅单晶生长用加热器、坩埚、籽晶托等内部构件,以及碳化硅粉体合成用加热器、坩埚等石墨热场部件。

 来源:第三代半导体产业技术战略联盟

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