2024年7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET阈值电压测试方法》等9项SiC MOSFET技术标准已完成征求意见稿的编制，正式面向联盟成员单位征求意见，为期一个月。征求意见稿已经由秘书处邮件发送至联盟成员单位；非联盟成员单位如有需要，可发邮件至：casas@casa-china.cn。
2024年1月11日，SiC功率器件与模块工作组于浙江大学杭州国际科创中心召开第一次工作会议，初步确定了SiC MOSFET可靠性评价标准体系建设的整体布局；经过标准立项、征集起草小组、召开起草小组会议，标准文稿反复讨论、修改；2024年7月10日，SiC功率器件与模块工作组于复旦大学/上海碳化硅功率器件工程技术研究中心召开第二次工作会议，全面集中讨论了标准草案，其中9项标准于7月19日形成征求意见稿。
其中，针对T/CASAS 021—202X SiC MOSFET阈值电压测试方法（征求意见稿），联盟秘书处将组织测试比对工作，请有意愿参与的单位发送联系人信息至casas@casa-china.cn或电话联系秘书处问询，咨询电话010-82385580。
（来源：第三代半导体产业技术战略联盟）
