在中美技术竞争加剧的背景下，中国香港正建立首条新一代半导体材料氮化镓（GaN）晶圆生产线，力争在全球芯片行业站稳脚跟。
MassPhoton创始人兼CEO Eason Liao表示，该公司于2024年1月在香港成立，正与政府资助的香港科技园（HKSTP）合作建立一条8英寸GaN外延晶圆试点生产线，目标是到2027年实现年产能10000片。香港科技园孵化器在一份声明中表示，MassPhoton专门生产紫外线C消毒产品，将投资2亿港元（2560万美元）新建晶圆生产线，并在科学园设立GaN技术研发中心。
GaN和碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，与传统的硅基半导体相比，具有能源效率更高、体积更小等优势。计划中的GaN生产线正值香港着眼于全球半导体供应链的份额，这是香港在地缘政治紧张局势加剧的情况下努力成为创新和技术中心的一部分。
去年10月，香港科技园还与中国大陆芯片公司杰平方半导体（J2 Semiconductor）签署了一份谅解备忘录，目标是建立香港首个SiC 8英寸晶圆厂和新的第三代半导体研发中心。杰平方半导体承诺为该项目投资69亿港元，并计划到2028年实现年产24万片晶圆的产能。香港创新科技及工业局局长孙东当时表示，香港选择专注于第三代半导体的原因之一是，用于制造第三代半导体的设备限制较少，因此相对容易获得关键设备。美国的出口限制切断了中国大陆获得一些最先进芯片制造设备的渠道。
MassPhoton CEO Eason Liao表示：“我们对第三代半导体供应链的一致性充满信心。”他补充说，许多中国大陆SiC公司已经在全球处于行业领先地位。Eason Liao表示，MassPhoton的目标是将其GaN晶圆应用于显示技术、汽车和数据中心等领域。他还表示，该公司还计划在今年底前再筹集1亿港元资金。
香港立法会于今年5月批准为政府拨款28.4亿港元，用于建立半导体研究中心。香港科技园表示，计划在元朗创新园设立的微电子中心预计将于今年投入运营。
（来源：集微）
