7月24日，湖南三安半导体迎来了又一重要里程碑——芯片二厂M6B设备的入场仪式。在这个值得纪念的日子里，电力电子事业部总经理、湖南三安总经理江协龙先生与公司的高管团队、各部门主管以及核心员工齐聚一堂，共同见证了这一激动人心的时刻。
江协龙先生在仪式上发表讲话，他指出，M6B的成功建成和投产不仅是公司发展史上的一个标志性事件，更是一个崭新的起点。站在这个新的起点上，湖南三安将继续秉承创新驱动的发展理念，不断优化和提升生产能力。在扩大产能的同时，公司也将致力于提高产品质量，力争打造国内领先的8英寸SiC垂直整合产业链。
这一举措预示着湖南三安SiC项目二期工程的即将全面贯通，为加速8英寸SiC产业布局、实现产线的正式投产奠定了坚实的基础。随着M6B设备的入场，湖南三安将进一步提升其在SiC领域的竞争力，满足市场对高性能SiC芯片的不断增长的需求。
三安团队在M6B大楼前为进机剪彩
湖南三安半导体的SiC项目总投资高达160亿人民币，目标是构建一个兼容6英寸和8英寸SiC晶圆的全产业链垂直整合量产平台。一旦项目全面达产，公司将拥有年产36万片6英寸SiC晶圆和48万片8英寸SiC晶圆的强大制造能力。
M6B作为该项目的关键组成部分，其投产情况自然成为业界关注的焦点。预计到今年12月，M6B将实现设备点亮和通线，届时8英寸SiC芯片将正式投产，标志着湖南三安半导体将正式迈入8英寸SiC垂直整合制造商的行列。
未来，三安将充分发挥自身优势，加大研发投入，提高产能，共同推动8吋SiC芯片领域的发展。在市场拓展利好消息的加持下，三安有望加速8吋SiC从材料到器件模块直至终端应用全流程的落地实施，为我国第三代半导体产业的发展注入强大动力。
