天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种降低栅极电容的 SiCMOSFET 及制备方法”，公开号 CN202410623581.8，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，一种降低栅极电容的 SiC MOSFET 及制备方法，涉半导体技术领域。本发明采用调控栅极和 N 耐压层的重合区域的大小以及栅介质厚度来降低 SiC MOSFET 的栅极电容。传统的沟槽型 SiC MOSFET，栅极和 N 耐压层的重合区域的宽度等于沟槽的宽度，该重合区域的栅介质厚度等于栅氧厚度，本发明创新性的采用两次沟槽刻蚀，使栅极和 N 耐压层的重合区域的宽度低于沟槽的宽度，该重合区域的栅介质厚度高于栅氧厚度，从而降低了栅极和 N 耐压层的重合区域对栅极电容的贡献，达到降低 SiC MOSFET 栅极电容的益处。
