自安世半导体(Nexperia)官网获悉，当地时间6月27日，安世半导体宣布计划投资2亿美元，用于在德国汉堡市开发以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的下一代宽禁带半导体(WBG)，并在汉堡工厂(Hamburg site)建立生产基础设施。
与此同时，硅(Si)二极管和晶体管的晶圆厂产能将会增加。该项投资是在该生产基地成立100周年之际，与汉堡经济事务部长Melanie Leonhard博士共同宣布的。
声明中称，为了满足对高效功率半导体日益增长的长期需求，安世半导体将从2024年6月开始在德国开发和生产SiC、GaN和Si三种技术，这意味着安世半导体正在为电气化和数字化领域的关键技术提供支持。
安世半导体首席运营官兼董事总经理Achim Kempe表示，这项投资加强了安世作为节能半导体领先供应商的地位。未来，汉堡工厂将覆盖全系下一代宽禁带半导体产品，同时仍然是最大的小信号二极管和晶体管工厂。安世将继续致力于为标准应用和功率密集型应用生产高质量、低成本的半导体。
2024年6月，安世半导体首条高压GaN d-mode晶体管和SiC二极管生产线投产，下一个里程碑将是SiC MOSFET和低压GaN HEMT 8英寸现代化高性价比生产线，这些生产线将在汉堡工厂未来两年内建成。该投资将有助于实现汉堡工厂现有基础设施的自动化，并扩大硅生产能力。随着洁净室面积的扩大，新的研发实验室正在建设中，以继续确保未来从研究到生产的无缝过渡。
