江苏通用半导体有限公司（原：河南通用智能装备有限公司，下文简称“通用半导体”）7月12日披露，公司于2024年7月10日用自研设备（碳化硅晶锭激光剥离设备）成功实现剥离出130um厚度超薄SiC晶圆片。
资料显示，通用半导体成立于2019年，致力于高端半导体产业装备与材料的研发和制造。在融资方面，通用半导体在2021年8月和2023年8月分别完成天使轮和A轮融资，投资方包括天演基金、拉萨楚源、浑璞投资、东北证券、鼎心资本等机构。在产品方面，通用半导体于2020年研发出国内首台半导体激光隐形切割机；2022年成功推出国内首台18纳米及以下SDBG激光隐切设备（针对3D Memory)；2023年成功研发国内首台8英寸全自动SiC晶锭激光剥离产线；2024年研制成功SDTT激光隐切设备（针对3D HBM）。值的一提的是，2023年12月，通用半导体自主研发的8英寸碳化硅（SiC）晶锭剥离产线已完成交付。通用半导体表示，随着公司激光隐切设备产品覆盖度持续提升，市场应用规模的不断扩大，且公司持续保持高强度的研发投入，迭代升级各产品系列。
来源：通用半导体、集邦化合物半导体
