天眼查知识产权信息显示，芯联集成电路制造股份有限公司申请一项名为“MEMS 器件及其制备方法“，公开号 CN202410419013.6，申请日期为 2024 年 4 月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及一种 MEMS 器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接触，振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触；去除部分衬底，以在背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分第一牺牲层，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面，且与背腔连通；其中，衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致，以使衬底与振膜能够导通。由此，去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后，可以通过连接结构转移至衬底中，避免大量自由电荷堆积在振膜中，减少电化学反应的发生，减少对振膜的损伤。
来源：金融界
