7月5日—英诺赛科，一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体解决方案的全球能源生态系统公司，在 ITC 的初裁中彻底驳回了 宜普（EPC） 公司基于其508 专利的所有诉讼请求。判决裁定英诺赛科在508专利的权利请求（主张的唯一权利请求）中不存在侵权行为。这是英诺赛科在美国国际贸易委员会（ITC）与EPC的争议中取得的巨大成功。
根据 ITC 的初步裁定，首席行政法官认为 英诺赛科对EPC的508 专利不存在侵权行为，该专利涉及增强型 GaN 晶体管的形成方法。这意味着英诺赛科 完全成功地战胜了 EPC 基于其 508 专利提出的主张。
ITC法官裁定英诺赛科对EPC的294 专利存在侵权行为。英诺赛科不同意行政法官的意见，原因是EPC的294 专利是无效的。事实上，美国专利商标局（“USPTAB”）发起了一项针对294专利的多方复审程序，以四个不同的理由质疑 294 专利的所有权利要求，并同意英诺赛科的无效论点。美国专利商标局针对294专利的多方复审无效决定将于 2025 年 3 月发布。
事实上，EPC 主张的 508专利和294专利目前都正在接受美国专利商标局的无效审查。294 专利的权利要求 1至12 和 508 专利的权利要求 1至5 被高度质疑来自于公开且被业界熟知的现有技术。英诺赛科 还向 美国专利商标局质疑了另外两项 EPC的 专利，EPC 此前已向 ITC 主张这些专利，但后来决定撤回其主张。虽然 EPC 从 ITC 撤回了该两项专利主张，但英诺赛科仍在美国专利商标局继续对这些专利提出无效质疑。对于 EPC 最初主张的所有四项 EPC 专利，美国专利商标局认为：“ 英诺赛科很有可能在其针对EPC专利的无效请求中获得胜诉”。通过初步决定，英诺赛科在美国专利商标局的多方复审无效程序中取得了 4：4 全胜的完美战绩。
ITC 及USPTAB的初步裁定进一步证实了 EPC 对英诺赛科的诉讼是错误及荒谬的。EPC在对英诺赛科的无理攻击中逐渐陷入被动局面。在针对其所有四项专利的无效立案审查中，美国专利商标局的三名法官一致同意英诺赛科的观点。在所有四项诉讼中，英诺赛科都阐明了 EPC 专利无效的多种原因及可证实其无效性的充分论点，对此，美国专利商标局完全认可并同意英诺赛科的观点。后续，英诺赛科将向美国专利商标局提供更新的补充信息及材料，美国商标局将根据这些补充信息及材料，在 2025 年 3 月 26 日之前做出专利是否无效的最终裁定。
对于ITC在 294专利的初步裁定，英诺赛科将在7月19日前向ITC复审委员会提出上诉。本次调查的最终裁定日期为 2024 年 11 月 5 日。
英诺赛科有信心在与EPC的争议中取得彻底胜利。
