天眼查知识产权信息显示，常州银河世纪微电子股份有限公司申请一项名为“一种SiCMOSFET板级封装优化设计方法“的专利，公开号CN202410426444.5，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种SiC MOSFET板级封装优化设计方法，包括以下步骤：构建SiC MOSFET FOPLP的寄生电感、模块热阻与等效累计塑性功解析物理模型；构建SiC MOSFET FOPLP的多目标优化模型，以寄生电感、模块热阻与累计塑性功作为优化目标函数，以封装结构尺寸参数作为优化变量，以制造工艺作为约束条件；基于多目标粒子群算法对多目标优化模型进行求解，得到目标空间的帕累托解集；基于应用场景，使用优劣解距离法对帕累托解集中的解进行排序与挑选，得到SiC MOSFET FOPLP不同封装结构的最优几何参数组合。与现有技术相比，本发明具有考虑了电学、热学与力学特性的耦合关系，设计效率高等优点。
来源：金融界
