天眼查知识产权信息显示,常州银河世纪微电子股份有限公司申请一项名为“一种SiCMOSFET板级封装优化设计方法“的专利,公开号CN202410426444.5,申请日期为2024年4月。
专利摘要显示,本发明涉及一种SiC MOSFET板级封装优化设计方法,包括以下步骤:构建SiC MOSFET FOPLP的寄生电感、模块热阻与等效累计塑性功解析物理模型;构建SiC MOSFET FOPLP的多目标优化模型,以寄生电感、模块热阻与累计塑性功作为优化目标函数,以封装结构尺寸参数作为优化变量,以制造工艺作为约束条件;基于多目标粒子群算法对多目标优化模型进行求解,得到目标空间的帕累托解集;基于应用场景,使用优劣解距离法对帕累托解集中的解进行排序与挑选,得到SiC MOSFET FOPLP不同封装结构的最优几何参数组合。与现有技术相比,本发明具有考虑了电学、热学与力学特性的耦合关系,设计效率高等优点。
来源:金融界