芯谷微电子微波器件及模组项目主厂房封顶

日期:2024-06-23 阅读:450
核心提示:6月21日,合肥芯谷微电子股份有限公司微波器件及模组项目主厂房封顶。

 6月21日,合肥芯谷微电子股份有限公司微波器件及模组项目主厂房封顶。

合肥高新技术产业开发区管理委员会官方消息显示,2023年5月18日上午,合肥芯谷微电子股份有限公司微波器件及模组项目开工仪式在合肥高新区举行。

据此前合肥日报报道,“芯谷微项目”位于合肥高新区长安路与大龙山路交口东北角,占地55亩,建筑面积6.6万平方米,总投资额约11亿元。规划建设微波器件厂房、模组厂房、综合动力站及倒班宿舍等。项目主要从事基于砷化镓等材料的射频微波芯片的设计、微波模块和组件的设计及制造。主要产品有放大器、微波开关、衰减器、移相器、倍频器、微波模块和组件等,产品广泛应用于无线通信、雷达、电子对抗、制导等领域,建成后可年产芯片3000万颗,组件20000套。

合肥芯谷微电子股份有限公司网站显示,该公司成立于2014年11月,在微波、毫米波集成电路芯片的研发和生产上坚持自主创新,基于国内外先进稳定的GaAs(砷化镓)和GaN(氮化镓)工艺线,芯谷微电子具备超宽带的低噪声放大器、超宽带功率放大器、高线性功率放大器、高功率GaN管芯、高功率内匹配管放大器(IMFETs)、多功能芯片、开关、衰减器、移相器、倍频器、混频器、VCO等微波、毫米波集成芯片电路的设计、开发及批量生产能力,并基于自有芯片,设计、开发及批量生产微波组件产品。

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