晶圆代工厂汉磊拟进军化合物半导体8英寸厂，考量投资成本太高，计划与具有现成8英寸厂的企业，展开策略合作; 半导体业界传出，汉磊将与力积电合作，拟采技术作价方式，运用力积电的8英寸厂生产，双方资源互补，以达经济效益。
汉磊深耕化合物半导体中的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）长达10年以上，也是中国台湾少数半导体业拥有SiC、GaN技术的厂商，但旗下的晶圆厂都属6英寸厂，随着国际大厂与国内同业逐渐建立化合物半导体8英寸生产线，汉磊也开始展开进军8英寸厂的准备。
汉磊董事长徐建华于上周股东会后受访指出，目前汉磊正积极进行8寸厂的准备，包括技术研发与生产，但就生产而言，自己盖晶圆厂的成本太高，将找已有8英寸厂的企业策略合作，才具最佳经济效益。
就合作时间考量，徐建华表示，因目前8寸衬底价格超过6英寸三倍，他估计大约还要等一年到一年半的时间，等衬底降到合理价格，将是发展8英寸的最好时机点。他并说，可能今年就可敲定合作对象，目前不方便透露。
半导体业界透露，力积电在化合物半导体欠缺技术，尤其是门槛较高的SiC，8英寸厂产能利用率也不高，汉磊将与力积电合作，拟采技术作价方式，双方资源互补，以达经济效益，目前洽谈合作中。
随着产业往高频的5G通讯、高电压的电动车发展，未来AI更是看好，拥有高频、高电压的GaN、SiC的化合物半导体前景看好，徐建华尤其看好SiC，包括电动车、能源与AI，都会驱动SiC的应用与需求大幅提升。
不过，化合物半导体以国际大厂包括Wolfspeed、英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semi）等欧美日厂商为主，近几年中国大陆积极投入资源，砸重金抢占市场，企图弯道超车，产能大幅开出、杀价竞争，传出SiC报价比汉磊少一半以上，汉磊与力积电未来在8吋厂携手合作，也很难与中国大陆竞争。
来源：自由时报
