三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机

 日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。

据悉，此种CNT薄膜可以实现92%以上的高EUV透射率和超过1kW曝光输出功率的光阻能力。三井化学预期年产能力为5000张，生产线预计于2025年12月完工，可为ASML将推出的下一代高数值孔径、高输出EUV光刻机提供支持。