AlN及其合金是深紫外光电子器件和高频大功率微波器件的理想材料。纤锌矿结构AlN材料中沿c方向同时存在较大的自发极化效应和压电极化效应。这种极化效应产生的极化电荷会引发量子限制斯塔克效应，从而极大地限制AlN基光电子器件的发光效率，同时也影响了电力电子器件的性能。采用非极性或者半极性材料，则可以有效消除或者减少量子限制斯塔克效应。
2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，将邀请新一代半导体领域相关高校院所专家和知名企业代表出席，共同研讨新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势，分享前沿研究成果，携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。
北京化工大学教授张纪才受邀参加会议，并做《（11-22）AlN材料的HVPE生长及其二极管制备研究》的主题报告，将分享最新研究报告。相比于极性面上的电子器件，使用非极性面有利于电子器件实现增强模式（、提高温度稳定性、减少滞后性和增加灵敏度等。然而，由于AlN本身的物理特性，导致其生长制备比较困难，在AlN异质外延生长中，晶格失配和热失配通常会导致AlN材料缺陷密度高，并且容易开裂。其研究工作采用自主研制的高温HVPE系统，研究了M面蓝宝石衬底上高温外延生长（11-22）半极性AlN材料的动力学过程，探讨了生长条件的影响，获得了AlN厚度达到8.5微米无微裂纹的2英寸（11-22）AlN/平面蓝宝石模板，表面光滑，具有明显台阶结构。在此衬底上，开展了AlN肖特基二极管的研究，获得的器件理想因子n，从300 K时的6.5降低到450 K时的3.1。研究成果与进展详情，敬请关注会议！
张纪才，长期从事III族氮化物半导体材料及相关器件的生长及制备研究，在高温氢化物气象外延（HVPE）设备研制，GaN、AlN、BN的HVPE生长制备，AlGaN基深紫外LED研究方面获得了系列成果。在Phys. Rev. B、ACS AMI等SCI收录期刊发表论文80余篇。申请国家发明专利20余项。在国内外会议上做邀请报告10余次。获得中国科学院 “引进杰出技术人才”、江苏省“企业博士聚集计划（创新类）”等人才称号。主持了国家自然科学基金面上项目、北京市自然科学基金面上项目、江苏省重点研发项目、江苏省自然科学基金项目、广西自治区自然科学基金面上项目、广西自治区人才引进项目等。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
济南市历城区人民政府
山东中晶芯源半导体科技有限公司
山东华光光电子股份有限公司
山东大学新一代半导体材料研究院
山东大学晶体材料国家重点实验室
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
协办支持：
山东硅酸盐学会新材料专委会
济南晶谷研究院
北京中电科电子装备有限公司
苏州英谷激光科技股份有限公司
江苏通用半导体有限公司
江苏才道精密仪器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顾问委员会：
陈良惠 郑有炓 吴以成 褚君浩 祝世宁 李树深 王立军 黄如 杨德仁 叶志镇 江风益 刘益春 罗毅 金奎娟 刘纪美
大会主席：张荣 徐现刚 吴玲
大会副主席：陈秀芳 赵璐冰 王垚浩 吴德华
程序委员会：
李晋闽 沈波 康俊勇 张清纯 冯淦 盛况 邱宇峰 张波 柏松 陈彤 修向前 黄凯 胡卉 伊晓燕 黎大兵 孙涛 宋庆文 魏同波 张紫辉 邓小川 刘斌 王晓亮 王新强 张进成 吴军 赵德刚 孙钱 杨学林 单崇新 于浩海 叶建东 王宏兴 王笃福 王光绪 宋庆文 韩吉胜 黄森 冯志红 龙世兵 房玉龙 彭燕 徐明升 朱振 夏伟 杨祥龙 孙洪波 王成新 于国建 万成安 上官世鹏
组织委员会：
李树强 李强 高娜 张雷 宁静 闫方亮 崔潆心 谢雪健 肖龙飞 薛军帅 王荣堃 刘鹏 王雨雷 王希玮 贾欣龙 王守志 崔鹏 钟宇 李沛旭 沈燕 杜军军 任颖 许建华 等
二、主题方向
1. 碳化硅晶体技术及其应用
·碳化硅晶锭激光剥离技术及其设备
·液相法碳化硅单晶生长技术
·碳化硅外延生长技术
·先进长晶及外延碳材石墨技术
·碳化硅功率器件设计与制造技术
·先进碳化硅长晶炉及外延生长装备
·先进晶体缺陷检测技术及其设备
·先进研磨设备及先进抛光技术
·激光退火设备及技术
·先进刻蚀设备及技术
·银烧结封装技术及先进封装设备
2. 氮化镓、超宽禁带晶体及其应用
·氮化镓单晶及外延生长技术
·氮化镓功率及射频器件技术
·超宽禁带半导体单晶技术
·铌酸锂晶体技术制备
·大尺寸金刚石单晶生长技术
·氧化镓单晶生长技术
·氧化镓外延及器件技术
·先进AlN 单晶生长技术及其应用
·Micro LED 技术
3. 砷化镓、磷化铟晶体及其应用
·砷化镓、磷化铟单晶及外延技术
·半导体激光器技术及应用
·车用激光雷达技术及应用
·光通信技术及应用
·红外LED及显示照明技术
三、会议概览
会议时间：2024年6月21-23日
会议酒店：山东·济南融创施柏阁酒店
四、拟参与单位
北方华创、百识电子、比亚迪半导体、长飞半导体、东莞天域、东尼电子、华大半导体、华虹半导体、海思半导体、海创光电、瀚天天成、国星光电、基本半导体、江苏宏微、晶盛机电、晶湛半导体、科友半导体、山东华光、连城数控、理想汽车、麦科信、南砂晶圆、日立、三安半导体、山东华光、山东华云光电、中晶芯源、是德科技、三环集团、烁科晶体、士兰微、STR、苏州纳维、宇晶股份、艾姆希半导体、晶工半导体、赛尔科技、通用半导体、泰克科技、安储科技、华林嘉业、联盛电子、厚德钻石、博宏源、昂坤视觉、瑞霏光电、中科汉达、上海央米智能、同光半导体、泰科天润、特思迪、ULVAC、先导新材、西门子、小鹏汽车、意法半导体、英飞凌、扬杰科技、英诺赛科、中博芯、中电化合物、中电科二所、中电科十三所、中电科四十六所、中电科四十八所、中电科五十五所、中镓半导体、中微公司、瞻芯电子、中芯国际、北京大学、东南大学、电子科技大学、复旦大学、清华大学、南京大学、山东大学、西安电子科技大学、西安交通大学、厦门大学、浙江大学、中科院半导体所、中科院微电子所等
五、活动参与
1、注册费2800元，6月10日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月22日午餐、欢迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企业展位预定中，请具体请咨询。
2、扫码报名
扫码完成预报名，然后再注册缴费
六、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
七、联系方式
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 联系人 ：
王先生 15811352980
八、协议酒店
1、会议酒店名称：济南融创施柏阁酒店（济南市历城区凤鸣路5865号）
协议价格：大床/ 标间 含早 500元/1-2份早餐
预订方式：
发邮件到 预订部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
邮件模本：晶体会议，姓名，电话，房型，入住时间，退房时间
酒店销售经理：谢文宁15966068948
2、周边协议酒店
