碳化硅材料, 具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、强化学稳定性等优良特性，在电动汽车、轨道交通、高压输变电、光伏、5G 通讯等领域具有重大应用价值。在新能源产业强劲需求下，全球SiC产业步入高速成长期，推升了对SiC衬底产能的需求。碳化硅材料面临的挑战，主要来自成本与质量。质量方面涉及低位错密度、低应力、P型衬底、生长和加工新技术等。近年来 SiC 衬底厂商加速推进 8 英寸衬底的研发和量产进度，当尺寸扩展到 8 英寸之后，热应力增大，缺陷控制更加困难，尤其是位错缺陷的控制与 6 英寸相比还有一定差距。
2024年6月21至23日，“新一代半导体晶体技术及应用大会”将在山东济南召开，将邀请新一代半导体领域相关高校院所专家和知名企业代表出席，共同研讨新一代半导体晶体技术进展及未来发展趋势，分享前沿研究成果，携手助力我国新一代半导体晶体技术进步和产业发展。
山东大学新一代半导体材料研究院院长、南砂晶圆联合创始人徐现刚受邀将出席会议，并做《低缺陷碳化硅单晶进展及展望》的大会报告。8英寸SiC衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有巨大的潜力，已成为行业重要的发展和应用方向。山东大学和中晶芯源公司近期在8英寸SiC衬底位错缺陷控制方面取得重大突破。采用物理气相传输法（PVT法）实现了零TSD，零MPD，零层错、超低BPD的8英寸导电型4H-SiC单晶衬底制备。报告将分享最新研究成果。敬请关注！
徐现刚，山东大学教授、博导，晶体材料国家重点实验室主任、新一代半导体材料研究院院长、南砂晶圆联合创始人。教育部“长江计划”特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者，科技部“973“计划首席科学家，国家科技重大专项负责人。曾任国务院学位委员会委员，国家“863”计划半导体照明工程重大项目总体专家组专家，享受国务院政府特殊津贴，全国优秀科技工作者。
徐现刚教授自1989年至今一直从事MOCVD化合物半导体薄膜材料外延及器件研究工作，应用到半导体激光器、发光二极管、异质结晶体管等多种半导体器件。自2000年开始进行SiC单晶生长、加工研发及产业化工作，先后突破了2-8英寸SiC单晶生长技术，解决了超硬SiC单晶衬底的加工难题。先后承担多项科技部重大项目、863、973、国家科技重大专项及自然科学基金等，解决了宽禁带SiC单晶制备和衬底超精密加工难题，推动了国产半绝缘SiC单晶衬底的国产化。攻克了高功率半导体激光器灾变损伤及热饱和两大难题，实现砷化镓基高功率半导体激光外延材料和芯片的国产化。研究成果获得国防科学技术进步一等奖、山东省技术发明一等奖、省科技进步一等奖等。获国家发明专利100余项，发表论文200余篇。
一、组织机构
指导单位：
第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）
主办单位：
山东中晶芯源半导体科技有限公司
山东华光光电子股份有限公司
山东大学新一代半导体材料研究院
山东大学晶体材料国家重点实验室
极智半导体产业网（www.casmita.com）
第三代半导体产业
承办单位：
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
广州南砂晶圆半导体技术有限公司
协办支持：
山东硅酸盐学会新材料专委会
济南晶谷研究院
江苏通用半导体有限公司
北京中电科电子装备有限公司
江苏才道精密仪器有限公司
上海澈芯科技有限公司
顾问委员会：
陈良惠 郑有炓 吴以成 褚君浩 祝世宁 李树深 王立军 黄如 杨德仁 叶志镇 江风益 刘益春 罗毅 金奎娟 刘纪美
大会主席：张荣 徐现刚 吴玲
大会副主席：陈秀芳 赵璐冰 王垚浩 吴德华
程序委员会：
李晋闽 沈波 康俊勇 张清纯 冯淦 盛况 邱宇峰 张波 柏松 陈彤 修向前 黄凯 胡卉 伊晓燕 黎大兵 孙涛 宋庆文 魏同波 张紫辉 邓小川 刘斌 王晓亮 王新强 张进成 吴军 赵德刚 孙钱 杨学林 单崇新 于浩海 叶建东 王宏兴 王笃福 王光绪 宋庆文 韩吉胜 黄森 冯志红 龙世兵 房玉龙 彭燕 徐明升 朱振 夏伟 杨祥龙 孙洪波 王成新 于国建 万成安 上官世鹏
组织委员会：
李树强 李强 高娜 张雷 宁静 闫方亮 崔潆心 谢雪健 肖龙飞 薛军帅 王荣堃 刘鹏 王雨雷 王希玮 贾欣龙 王守志 崔鹏 钟宇 李沛旭 沈燕 杜军军 任颖 许建华 等
二、主题方向
1. 碳化硅晶体技术及其应用
·碳化硅晶锭激光剥离技术及其设备
·液相法碳化硅单晶生长技术
·碳化硅外延生长技术
·先进长晶及外延碳材石墨技术
·碳化硅功率器件设计与制造技术
·先进碳化硅长晶炉及外延生长装备
·先进晶体缺陷检测技术及其设备
·先进研磨设备及先进抛光技术
·激光退火设备及技术
·先进刻蚀设备及技术
·银烧结封装技术及先进封装设备
2. 氮化镓、超宽禁带晶体及其应用
·氮化镓单晶及外延生长技术
·氮化镓功率及射频器件技术
·超宽禁带半导体单晶技术
·铌酸锂晶体技术制备
·大尺寸金刚石单晶生长技术
·氧化镓单晶生长技术
·氧化镓外延及器件技术
·先进AlN 单晶生长技术及其应用
·Micro LED 技术
3. 砷化镓、磷化铟晶体及其应用
·砷化镓、磷化铟单晶及外延技术
·半导体激光器技术及应用
·车用激光雷达技术及应用
·光通信技术及应用
·红外LED及显示照明技术
三、会议概览
会议时间：2024年6月21-23日
会议酒店：山东·济南融创施柏阁酒店
四、拟参与单位
北方华创、百识电子、比亚迪半导体、长飞半导体、东莞天域、东尼电子、华大半导体、华虹半导体、海思半导体、海创光电、瀚天天成、国星光电、基本半导体、江苏宏微、晶盛机电、晶湛半导体、科友半导体、山东华光、连城数控、理想汽车、麦科信、南砂晶圆、日立、三安半导体、山东华光、山东华云光电、中晶芯源、是德科技、三环集团、烁科晶体、士兰微、STR、苏州纳维、宇晶股份、艾姆希半导体、晶工半导体、赛尔科技、通用半导体、泰克科技、安储科技、华林嘉业、联盛电子、厚德钻石、博宏源、昂坤视觉、瑞霏光电、中科汉达、上海央米智能、同光半导体、泰科天润、特思迪、ULVAC、先导新材、西门子、小鹏汽车、意法半导体、英飞凌、扬杰科技、英诺赛科、中博芯、中电化合物、中电科二所、中电科十三所、中电科四十六所、中电科四十八所、中电科五十五所、中镓半导体、中微公司、瞻芯电子、中芯国际、北京大学、东南大学、电子科技大学、复旦大学、清华大学、南京大学、山东大学、西安电子科技大学、西安交通大学、厦门大学、浙江大学、中科院半导体所、中科院微电子所等
五、活动参与
1、注册费2800元，6月10日前注册报名2500元（含会议资料袋，6月22日午餐、欢迎晚宴，6月23日自助午餐、晚餐）。企业展位预定中，请具体请咨询。
2、扫码报名
扫码完成预报名，然后再注册缴费
六、缴费方式
①银行汇款
开户行：中国银行北京科技会展中心支行
账 号：336 356 029 261
名 称：北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
②移动支付
备注：通过银行汇款/移动支付，请务必备注：单位简称+姓名，以便后续查询及开具发票。若需开具发票请将报名信息、转账凭证及开票信息发送至邮箱:lilyli@china-led.net。
七、联系方式
报告及论文投稿联系：
贾先生18310277858，jiaxl@casmita.com
白女士18888840079，bailu@casmita.com
参会及商务合作：
贾先生 18310277858，jiaxl@casmita.com
张女士 13681329411，zhangww@casmita.com
段先生 13717922543，duanpf@casmita.com
中晶芯源 联系人 ：
王先生 15811352980
八、协议酒店
1、会议酒店名称：济南融创施柏阁酒店（济南市历城区凤鸣路5865号）
协议价格：大床/ 标间 含早 500元/1-2份早餐
预订方式：
发邮件到 预订部 jnrcwlc@huazhu.com 抄送：victoria0001@hworld.com
邮件模本：晶体会议，姓名，电话，房型，入住时间，退房时间
酒店销售经理：谢文宁15966068948
2、周边协议酒店
