5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种具有银浆烧结层的功率模块，包括，基板；金属化陶瓷衬底，设于基板上，金属化陶瓷衬底和基板之间设有锡锑焊片；银浆层，设于金属化陶瓷衬底上；半导体芯片和电阻，设于银浆层上；连接端子，设于金属化陶瓷衬底上，连接端子、半导体芯片和电阻之间通过键合线电连接。本实用新型通过使用银浆烧结的方式将碳化硅材质的芯片进行焊接在金属化陶瓷衬底上，增加功率半导体模块使用的稳定性，增强功率半导体模块的使用寿命，可适用于各种更加极端的环境。
