据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法“，公开号CN202410458342.1，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法包括：提供一衬底，包括用于形成PMOS晶体管的第一区域和用于形成NMOS晶体管的第二区域；在衬底上形成多个伪栅极，分别设置在第一区域和第二区域上；在衬底上形成介质层，介质层的表面与伪栅极的表面齐平；去除伪栅极，形成凹部；在介质层、凹部的底部和侧壁上依次形成第一金属功函数层和第二金属功函数层；还原第二区域上的第二金属功函数层，形成还原层；去除还原层；在第一区域的第二金属功函数层上以及第二区域的第一金属功函数层上形成金属导电层。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，能够提高半导体器件的稳定性和平衡性。
