5月21日，杭州士兰微电子股份有限公司宣布与厦门市相关国资公司签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》，总投资额为120亿元人民币。
根据公告，士兰微电子拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司双方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集宏半导体有限公司”，并由士兰集宏负责建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模为6万片/月。
该项目位于厦门市海沧区，计划将分两期建设，一期投资规模约为70亿元，预计月产能为3.5万片。第二期投资约为50亿元，将在第一期的基础上实施，建成后，新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。针对本次投资，士兰微电子表示，将为士兰集宏"8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目"的建设和运营提供资金保障，有利于加快实现公司SiC功率器件的产业化，完善公司在车规级高端功率半导体领域的战略布局，增强核心竞争力。
