5月22日，东风汽车发文称，东风与中车合作成立的智新半导体，开展自主攻关，研发生产车规级IGBT模块，并顺利实现了IGBT产品量产，一期产能30万只，主要生产400V硅基IGBT模块，与国外产品相比，价格降低50%，实现了国产IGBT模块从无到有的突破。
智新半导体第二条生产线今年4月已经投用，规划产能40万只，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，预计7月批量投产，10月大批量投用智新半导体800V碳化硅模块采用纳米银烧结工艺、铜键合技术，散热性能更好、耐压能力更强，能量转化效率提高3%。
与同样性能的国外产品相比，该模块成本降低30%，实现从有到优的突破。为保证产品质量智新半导体以大数据为基础实现从生产到安装的全流程可追溯、可监控产品搭载整车后运行情况和特征一目了然。目前，智新半导体正在研发双面水冷塑封碳化硅模块体积减小40%能实现更低损耗、更高效率进一步提升车辆续航里程降低整车成本根据已有的产品智新半导体正努力实现从原材料到生产线设备的国产化替代进一步降低成本、提高市场竞争力。
此外，智新半导体正规划第三条生产线，规划年产能50万只，到2025年，智新半导体将达到总产能120万只IGBT模块，全力支撑“十四五”东风公司100万辆新能源车的销量目标。
