宁夏石嘴山一半导体晶圆芯片项目开工建设 总投资15.2亿元

日期:2024-05-10 阅读:305
核心提示:5月8日,石嘴山高新技术产业开发区消息显示,年产60万片8英寸新能源半导体晶圆芯片智造孵化园项目在石嘴山高新区正式开工建设。

 5月8日,石嘴山高新技术产业开发区消息显示,年产60万片8英寸新能源半导体晶圆芯片智造孵化园项目在石嘴山高新区正式开工建设。

石嘴山发布消息显示,据悉,年产60万片8英寸新能源半导体晶圆芯片智造孵化园项目计划投资15.2亿元,年产值达到30亿元以上,新增设备152余台(套),年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片,规划总占地面积约296.27亩,建构筑物占地面积81851.49平方米,总建筑面积约为220629.59平方米,主要建设内容包括生产厂房、动力厂房、封装厂房、丙类厂房、综合仓、变电站、甲类库、大宗气站、生产调度楼、食堂、门卫等。

据了解,肖特基势垒芯片或肖特基障垒芯片,是光伏发电组件的重要部件之一。肖特基芯片的导电是通过肖特基势垒,具有更低的导通损耗、反向截止更低漏电、快速开关和低噪声特性。

打赏
联系客服 投诉反馈  顶部